(EFE)
Fabricantes japoneses y estadounidenses de semiconductores se han unido para desarrollar una nueva generación de chips de memoria que mejorará el rendimiento de los dispositivos móviles, informó hoy el diario Nikkei.
El proyecto, en el que participan cerca de 20 empresas, busca estandarizar los chips de almacenamiento magníético (MRAM), capaces de ofrecer hasta 10 veces más velocidad y capacidad que los actuales de almacenamiento dinámico (DRAM).
Por el lado japoníés, participarán las principales empresas del sector, tales como Hitachi, Renesas Electronics o Tokyo Electron, tercer fabricante mundial, mientras que por parte de Estados Unidos figurarán tambiíén algunas de sus mayores firmas, entre ellas Micron Technology, el segundo mayor productor de chips DRAM.
Según el diario, cada empresa enviará próximamente personal de sus equipos de investigación a la universidad de Tohoku, al noreste de Japón, donde se espera comiencen el desarrollo de estos nuevos modelos de memoria a partir de febrero.
Al margen de dotar de mayor velocidad y almacenamiento, las memorias MRAM consumen un tercio menos de memoria que las actuales DRAM, algo que se espera sirva para mejorar significativamente el rendimiento en telíéfonos móviles y tabletas.
Con este proyecto, las empresas esperan acelerar la comercialización de estas memorias MRAM, en desarrollo desde los años 90, y ante el reto de que se puedan producir en masa para 2018.
Al margen de esta sinergia de empresas, otras firmas como la japonesa Toshiba se encuentran actualmente trabajando en su desarrollo con la surcoreana SK Hynix, en una carrera tecnológica en la que tambiíén compite el gigante Samsung Electronics
