Rambus ( RMBS ) y Freescale ( FSL ) han extendido un controlador de memoria / enlace serie acuerdo de licencia de patentes ( firmado en 2011 ), que fue establecido previamente para expirar en el 2016 a 2018. ( PR )
Además, el acuerdo se ha ampliado para dar Freescale la capacidad de colaborar con Rambus en la memoria resistiva incorporado (eRRAM) Tech último.
RRAM está siendo considerado por sus partidarios como un sustituto de la memoria flash NAND. Inicio travesaño, uno de los mayores evangelistas de RRAM resistiva, afirma la memoria puede ofrecer grandes mejoras en la densidad, velocidad de lectura, el consumo de energía y resistencia durante NAND, a la vez que conserva los datos de la ausencia de una carga (como NAND, ya diferencia de DRAM). Por supuesto, muchos aspirantes a NAND y DRAM alternativas han ido y venido en los últimos años.
