Arquitectura de memoria superior Las memorias de arreglo en paralelo particionadas de MoSys brindan la alta capacidad y la baja potencia de la DRAM integrada (eDRAM) con el rendimiento y la facilidad de uso de la SRAM tradicional (6T). La tecnología de memoria 1T-SRAM se basa en una celda de bits dinámica que logra un tamaño considerable y una ventaja de inmunidad a errores suaves sobre las SRAM de seis transistores (6T-SRAM) y otras celdas SRAM y QDR SRAM convencionales.
Pionero EFAM inteligente La memoria de aceleración de la función en memoria integrada de MoSys representa una tecnología revolucionaria a la velocidad y tamaño de los primeros circuitos integrados de memoria verdaderamente inteligentes. Ahora puede descargar funciones de su FPGA o procesador para optimizar el rendimiento del sistema y mejorar la funcionalidad. Los IMF varían desde BURST fijo, RMW fijo hasta soluciones totalmente programables que permiten a los diseñadores personalizar el IC de memoria ideal para su aplicación específica.
E / S serie de alta velocidad Mosys . Cada CI de memoria utiliza 16 carriles SerDes full-duplex con circuitos de transmisión y recepción con una velocidad de datos de hasta 28 Gbps. Cada IC admite los estándares IEEE 10, 40 y 100G y los estándares OIF 11, 25 y 28G. Las ventajas de la memoria serie incluyen sustancialmente menos conexiones de pines que HBM y QDR SRAM, baja latencia e integridad de los datos.
Mosys Simplifique su diseño con menos chips y conexiones de pines. En comparación con otras soluciones SRAM y QDR SRAM, la mayor densidad de MoSys reduce la cantidad de circuitos integrados. En comparación con las soluciones de pila de HBM, la tecnología de E / S SerDes requiere potencialmente miles de conexiones de pines menos para ofrecer simplicidad de diseño y confiabilidad mejorada.
Estás listo para HyperSpeed? MoSys redefinió el espacio de memoria cuando creó su línea BLAZAR de circuitos integrados de memoria EFAM, pero ahora hemos elevado el listón aún más con nuestro motor HyperSpeed programable. Obtenga más información sobre cómo estas soluciones de memoria inteligente pueden optimizar el rendimiento de su sistema.
